Le premier brevet pour le principe du transistor à effet de champ a été déposé au Canada par le physicien austro-hongrois Julius Edgar Lilienfeld le 22 octobre 1925, mais Lilienfeld n’a publié aucun article de recherche sur ses dispositifs, et ses travaux ont été ignorés par l’industrie.
Brattain et H. R. Moore ont fait une démonstration devant plusieurs de leurs collègues et responsables de Bell Labs dans l’après-midi du 23 décembre 1947. Cette date est souvent considérée comme la date de naissance du transistor.
En 1956, John Bardeen, Walter Houser Brattain et William Bradford Shockley ont reçu le prix Nobel de physique « pour leurs recherches sur les semi-conducteurs et leur découverte de l’effet transistor ».
